Bit cell: перевод, синонимы, произношение, примеры предложений, антонимы, транскрипция

Bit cell - перевод на русский, синонимы, антонимы, примеры в контексте
одноразрядный регистрTranslate

- bit [noun]

noun: бит, долото, кусочек, частица, кусок, сверло, бур, удила, бородка, лезвие

adjective: укушенный

verb: сдерживать, взнуздывать, взнуздать, обуздывать

- cell [noun]

noun: ячейка, клетка, элемент, камера, клеточка, келья, отсек, скит, тюремная камера, обитель

verb: помещать в клетку, находиться в клетке, сидеть за решеткой



Другие результаты
It's a little bit like a chemical fuel cell, which you might have come across in school, or you might've seen in the news. Слегка похож на химический топливный элемент, который вы, возможно, видели на уроках в школе или в новостях.
My organic chemistry is a bit rusty, but this looks like stem cell research. Мои навыки в органической химии довольно устарели, но это выглядит как исследование стволовых клеток.
It's a bit like taking your iPhone into the heart of the Mojave desert: Your GPS will tell you where you are, but you can't use Find My Phone because there's no cell coverage. Это похоже на разговор по айфону посреди пустыни Сахара: ваш GPS скажет вам, где вы находитесь, но вы не сможете воспользоваться функцией «найти мой телефон», потому что нет зоны покрытия.
He did not even frown, but only took a bit of black bread, dipped it in the salt cellar, and chewed it. Даже не поморщился, а только взял с тарелки миниатюрный кусочек черного хлеба, обмакнул в солонку и пожевал.
Back in his cell Svejk told all the detainees that this kind of interrogation was fun. 'They shout at you a bit and finally they kick you out. Вернувшись в свою камеру, Швейк сообщил арестованным, что это не допрос, а смех один: немножко на вас покричат, а под конец выгонят.
In 1T DRAM cells, the bit of data is still stored in a capacitive region controlled by a transistor, but this capacitance is no longer provided by a separate capacitor. В ячейках 1T DRAM бит данных по-прежнему хранится в емкостной области, контролируемой транзистором, но эта емкость больше не обеспечивается отдельным конденсатором.
During read accesses, the bit lines are actively driven high and low by the inverters in the SRAM cell. Во время доступа к чтению битовые линии активно управляются инверторами в ячейке SRAM.
If the word line is not asserted, the access transistors M5 and M6 disconnect the cell from the bit lines. Если строка слова не утверждена, транзисторы доступа M5 и M6 отключают ячейку от битовых линий.
In NOR flash, cells are connected in parallel to the bit lines, allowing cells to be read and programmed individually. В NOR flash ячейки соединены параллельно битовым линиям, что позволяет считывать и программировать ячейки по отдельности.
In general, the technology that scales to the smallest cell size will end up being the least expensive per bit. В общем, технология, которая масштабируется до наименьшего размера ячейки, в конечном итоге будет наименее дорогой на бит.
Early models required two FeRAM cells per bit, leading to very low densities, but this limitation has since been removed. Ранние модели требовали двух ферромагнитных ячеек на бит, что приводило к очень низкой плотности, но с тех пор это ограничение было снято.
In 1965, Benjamin Agusta and his team at IBM created a 16-bit silicon memory chip based on the Farber-Schlig cell, with 80 transistors, 64 resistors, and 4 diodes. В 1965 году Бенджамин Агуста и его команда в IBM создали 16-битный кремниевый чип памяти на основе ячейки Фарбера-Шлига с 80 транзисторами, 64 резисторами и 4 диодами.
DRAM is usually arranged in a rectangular array of charge storage cells consisting of one capacitor and transistor per data bit. DRAM обычно располагается в прямоугольной матрице ячеек хранения заряда, состоящей из одного конденсатора и транзистора на бит данных.
This means that the read operation destroys the memory cell state, and has to be followed by a corresponding write operation, in order to write the bit back. Это означает, что операция чтения разрушает состояние ячейки памяти и должна сопровождаться соответствующей операцией записи, чтобы записать бит обратно.
For example, a 4 bit 'wide' RAM chip has 4 memory cells for each address. Например, 4-битный широкий чип ОЗУ имеет 4 ячейки памяти для каждого адреса.
In 2009, Toshiba and SanDisk introduced NAND flash chips with QLC technology storing 4-bit per cell and holding a capacity of 64 Gb. В 2009 году Toshiba и SanDisk представили флэш-чипы NAND с технологией QLC, хранящие 4 бита на ячейку и имеющие емкость 64 Гб.
In NOR flash, each cell has one end connected directly to ground, and the other end connected directly to a bit line. В NOR flash каждая ячейка имеет один конец, соединенный непосредственно с землей, а другой конец-непосредственно с битовой линией.
The vertical layers allow larger areal bit densities without requiring smaller individual cells. Вертикальные слои допускают большую площадную плотность битов, не требуя меньших индивидуальных ячеек.
This technique may need to be modified for multi-level cell devices, where one memory cell holds more than one bit. Этот метод может потребоваться изменить для многоуровневых сотовых устройств, где одна ячейка памяти содержит более одного бита.
As a second example, an STT-RAM can be made non-volatile by building large cells, but the cost per bit and write power go up, while the write speed goes down. Во втором примере STT-RAM можно сделать энергонезависимой, построив большие ячейки, но стоимость одного бита и мощность записи повышаются, в то время как скорость записи снижается.
The memory cells are grouped into words of fixed word length, for example 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 or 128 bit. Ячейки памяти группируются в слова фиксированной длины, например: 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 или 128 бит.
Every single bit in a static RAM chip needs a cell of six transistors, whereas dynamic RAM requires only one capacitor and one transistor. Каждый отдельный бит в статическом чипе ОЗУ нуждается в ячейке из шести транзисторов, в то время как динамическому ОЗУ требуется только один конденсатор и один транзистор.

0Вы посмотрели только
% информации